Samsung Electronics anunta producerea primei memorii DRAM (Dynamic Random Access Memory) DDR3.
Noul circuit, care poate procesa date la viteza de 1066 Mbps, va fi disponibil la inceputul lui 2006. Conform producatorului DDR3 (Double Data Rate) va deveni standard in viitoarea generatie de memorii extrem de rapide, cu consum redus de energie folosite in sistemele portabile, desktop-uri si servere.
"Succesul nostru inregistrat cu DDR3 va continua sa aduca pe piata cele mai avansate memorii cat mai urgent posibil" a fost declaratia lui Tom Quinn, vicepresedinte in cadrul Samsung Semiconductor.
