Samsung produce prototip de memorie DDR3

de     Agora News
Sâmbătă, 19 februarie 2005, 0:00


Samsung Electronics anunta producerea primei memorii DRAM (Dynamic Random Access Memory) DDR3.

Noul circuit, care poate procesa date la viteza de 1066 Mbps, va fi disponibil la inceputul lui 2006. Conform producatorului DDR3 (Double Data Rate) va deveni standard in viitoarea generatie de memorii extrem de rapide, cu consum redus de energie folosite in sistemele portabile, desktop-uri si servere.

"Succesul nostru inregistrat cu DDR3 va continua sa aduca pe piata cele mai avansate memorii cat mai urgent posibil" a fost declaratia lui Tom Quinn, vicepresedinte in cadrul Samsung Semiconductor.



















26 vizualizari


Abonare la comentarii cu RSS

ESRI

Top 5 articole cele mai ...



Hotnews
Agenţii de ştiri

Siteul Hotnews.ro foloseste cookie-uri. Cookie-urile ne ajută să imbunatatim serviciile noastre. Mai multe detalii, aici.
hosted by
powered by
developed by
mobile version
Miercuri